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PVT单晶生长炉

本设备用于ALN、SiC单晶生长 。 设备特点: 采用PVD法生长单晶。带坩埚升降机构,多路测温。 技术指标: 1、  工作腔φ650×500 mm 2、...
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本设备用于ALNSiC单晶生长 。

设备特点:

采用PVD法生长单晶。带坩埚升降机构,多路测温。

技术指标:

1  工作腔φ650×500 mm

2  最高工作温度~2400℃

3  极限尊龙体育(中国集团)有限公司度<8× 10-5Pa

4  加热功率~120KW


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